青島鍍膜加工的實(shí)際工作經(jīng)驗告訴我們，原料充足情況下鍍膜厚度與蒸鍍時(shí)間呈線(xiàn)性關(guān)系，這表明高真空情況下蒸鍍速率比較均勻。而基片的溫度，通常對鍍膜厚度影響不大，其原因在于高真空環(huán)境下分子間碰撞很小，蒸發(fā)分子遇基片表面迅速凝結。因此如MgF2原料的蒸鍍基片溫度通常保持60℃即可。不同的原料狀態(tài)可能會(huì )對蒸鍍過(guò)程造成較大的影響。實(shí)驗研究成果表明：

青島鍍膜加工在蒸鍍條件一致的前提下，粉末狀的原料狀態(tài)結構松散，原料內的水與空氣較多，實(shí)際蒸鍍前應充分溶解原料，原料質(zhì)量損失相對較大，光照度較差;多晶顆粒的原料狀態(tài)由于生產(chǎn)過(guò)程已經(jīng)除氣脫水，結構均勻致密，實(shí)際蒸鍍前原料質(zhì)量損失相對較小，光照度較好。實(shí)際蒸鍍中我們發(fā)現，單晶原料蒸鍍的薄膜組成形式為大分子團，冷卻后形成大顆粒柱狀結構，薄膜結構疏松，耐磨性差，而多晶原料薄膜為小分子沉積，更適宜于用作蒸鍍原料。

青島鍍膜加工蒸發(fā)源與基片間距會(huì )對薄膜均勻性等造成一定影響，根據實(shí)際鍍膜經(jīng)驗，蒸發(fā)源與基片間距較小的情況下，薄膜厚度相對更大，均勻性也相對更好。因此在實(shí)際鍍膜生產(chǎn)中，我們需要考慮如何合理調整蒸發(fā)源與基片的間距，確保各區域的基片與蒸發(fā)源間距更佳。綜上所述，不同方式的蒸鍍工藝，不同蒸鍍時(shí)間，不同原料狀態(tài)，以及蒸發(fā)源與基片間距，都會(huì )對蒸鍍質(zhì)量帶來(lái)一定影響。因此需要在蒸鍍過(guò)程中選取更為適合的原料和工藝方式。