真空鍍膜就是置待鍍材料和被鍍基板于真空室內，采用一定方法加熱待鍍材料，使之蒸發(fā)或升華，并飛行濺射到被鍍基板表面凝聚成膜的工藝。在真空條件下成膜有很多優(yōu)點(diǎn)：可減少蒸發(fā)材料的原子、分子在飛向基板過(guò)程中于分子的碰撞，減少氣體中的活性分子和蒸發(fā)源材料間的化學(xué)反應（如氧化等），以及減少成膜過(guò)程中氣體分子進(jìn)入薄膜中成為雜質(zhì)的量，從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與基板的附著(zhù)力。通常真空蒸鍍要求成膜室內壓力等于或低于10-2Pa，對于蒸發(fā)源與基板距離較遠和薄膜質(zhì)量要求很高的場(chǎng)合，則要求壓力更低。 

為沉積高純單晶膜層，可采用分子束外延方法。生長(cháng)摻雜的GaAlAs單晶層的分子束外延裝置如圖2[ 分子束外延裝置示意圖]。噴射爐中裝有分子束源，在超高真空下當它被加熱到一定溫度時(shí)，爐中元素以束狀分子流射向基片?；患訜岬揭欢囟?，沉積在基片上的分子可以徙動(dòng)，按基片晶格次序生長(cháng)結晶用分子束外延法可獲得所需化學(xué)計量比的高純化合物單晶膜，薄膜最慢生長(cháng)速度可控制在1單層／秒。通過(guò)控制擋板,可精確地做出所需成分和結構的單晶薄膜。分子束外延法廣泛用于制造各種光集成器件和各種超晶格結構薄膜。